[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810653795.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634862B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区，器件区的类型包括NMOS区和PMOS区中的一种或两种，相同类型的器件区用于形成不同阈值电压的器件；在基底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的基底内形成凹槽，在相同类型的器件区中，沿垂直于栅极结构侧壁的方向，不同阈值电压对应的凹槽侧壁至相邻栅极结构侧壁的最小距离不同；在多个凹槽内形成源漏掺杂层。本发明通过调节相同类型器件区中各凹槽侧壁至相邻栅极结构侧壁的最小距离的方式，不仅易于分别调节各器件的阈值电压，且还能减小形成功函数层的工艺对器件性能和良率所产生的不良影响，避免任一器件的阈值电压调节对其他器件产生交叉影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，包括器件区，所述器件区的类型包括NMOS区和PMOS区中的一种或两种，相同类型的所述器件区用于形成不同阈值电压的器件；/n在所述基底上形成栅极结构；/n在所述栅极结构两侧的基底内形成凹槽，在相同类型的所述器件区中，沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向，不同阈值电压对应的凹槽侧壁至相邻栅极结构侧壁的最小距离不同；/n在所述凹槽内形成源漏掺杂层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810653795.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
