[发明专利]集成电路图像传感器和在图像传感器内操作的方法有效

专利信息
申请号: 201810653831.7 申请日: 2014-06-09
公开(公告)号: CN108600661B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: M·吉达什;T·沃吉尔桑 申请(专利权)人: 拉姆伯斯公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅;潘聪
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在集成电路图像传感器内的像素阵列中,像素(870)包括形成在衬底内的光电探测器(260)和浮置扩散结构(262)。第一栅极元件(881)和第二栅极元件(883)彼此相邻地设置在衬底的在光电探测器与浮置扩散结构之间的区域(885)之上,并且分别耦合至在像素阵列内的行方向上延伸的行线(TGr)和在像素阵列中的列方向上延伸的列线(TGc)。
搜索关键词: 集成 电路 图像传感器 操作 方法
【主权项】:
1.一种集成电路图像传感器,包括:多个像素,其以行和列布置在衬底内以形成像素阵列,所述多个像素包括第一像素,所述第一像素具有:光电探测器和浮置扩散结构,其实施在所述衬底内并且由所述衬底的电荷传输区域相互分离;以及第一栅极元件和第二栅极元件,所述第一栅极元件和所述第二栅极元件彼此相邻地布置在所述电荷传输区域之上;行信号线,其在所述像素阵列内的行方向上延伸并且被耦合至所述第一栅极元件;列信号线,其在所述像素阵列内的列方向上延伸并且被耦合至所述第二栅极元件。
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