[发明专利]提高底部结晶质量的LED外延生长方法在审
| 申请号： | 201810654520.2 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108767074A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朱耀强;苗振林;徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高底部结晶质量的LED外延生长方法，包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、降温冷却；其中，生长非掺杂u‑GaN层包括：保持温度1000‑1200℃，保持反应腔压力150‑300mbar，持续生长150nm‑800nm的非掺杂GaN‑1层；降温30‑80℃，升高反应腔压力至500‑900mbar，生长100nm‑800nm的非掺杂GaN‑2层；交替生长非掺杂GaN‑1层和非掺杂GaN‑2层，且交替生长周期为1‑6个周期。相对于现有技术，通过降低相邻外延层的失配度逐渐阻隔缺陷的向上蔓延，同时减少新产生的缺陷，从而降低位错密度，提高晶体质量，保证上层正常生长，减少非辐射复合，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 非掺杂 反应腔压力 交替生长 外延生长 低温缓冲层 非辐射复合 发光效率 降温冷却 发光层 失配度 外延层 衬底 位错 阻隔 掺杂 升高 上层 保证 | ||
【主权项】：
1.一种提高底部结晶质量的LED外延生长方法，其特征在于，包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、降温冷却；其中，所述生长非掺杂u‑GaN层包括：保持温度1000‑1200℃，保持反应腔压力150‑300mbar，持续生长厚度为150nm‑800nm的非掺杂GaN‑1层；降温30‑80℃，升高反应腔压力至500‑900mbar，持续生长厚度为100nm‑800nm的非掺杂GaN‑2层；交替生长所述非掺杂GaN‑1层和所述非掺杂GaN‑2层，且交替生长周期为1‑6个周期。
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