[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在基板上的第一晶体管和在基板上的第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每个包括竖直地堆叠在基板上且彼此竖直地间隔开的多个半导体图案以及填充半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间的栅极电介质图案和功函数图案。第一晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层，第二晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层和第二功函数金属层，第一晶体管和第二晶体管中的每个的第一功函数金属层具有比第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且第一晶体管具有比第二晶体管的阈值电压小的阈值电压。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一晶体管，在基板上；和第二晶体管，在所述基板上，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的每个包括，多个半导体图案，竖直地堆叠在所述基板上并彼此竖直地间隔开，以及栅极电介质图案和功函数图案，填充所述半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间，其中所述第一晶体管的所述功函数图案包括第一功函数金属层，所述第二晶体管的所述功函数图案包括所述第一功函数金属层和第二功函数金属层，所述第一晶体管和所述第二晶体管的每个的所述第一功函数金属层具有比所述第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且所述第一晶体管具有比所述第二晶体管的阈值电压小的阈值电压。