[发明专利]氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810657127.9 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634950A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;李军帅;张丽;邓旭光;范亚明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制备方法。所述的氧化镓垂直结构半导体电子器件包括依次设置的缓冲层、电流阻挡层和沟道层，所述电流阻挡层内还分布有经离子注入的方式处理形成的电流通孔，所述沟道层上设置有源极和栅极，所述缓冲层与漏极连接，所述漏极与电流阻挡层相背对设置，所述电流通孔位于栅极下方，所述沟道层与缓冲层经所述电流通孔电连接。本发明提供的氧化镓垂直结构半导体电子器件，结构简单，能够很好的满足了大功率开关的需求，且拥有大的饱和电流、高击穿电压等一系列优势，极大的发挥Ga | ||
| 搜索关键词： | 半导体电子器件 垂直结构 氧化镓 电流阻挡层 沟道层 缓冲层 流通孔 漏极 电子器件领域 大功率开关 高击穿电压 功率半导体 饱和电流 材料特性 方式处理 依次设置 电连接 相背 源极 制备 离子 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓垂直结构半导体电子器件，其特征在于包括依次设置的缓冲层、电流阻挡层和沟道层，所述电流阻挡层内还分布有经离子注入的方式处理形成的电流通孔，所述沟道层上设置有源极和栅极，所述缓冲层与漏极连接，所述漏极与电流阻挡层相背对设置，所述电流通孔位于栅极下方，所述沟道层与缓冲层经所述电流通孔电连接。/n
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