[发明专利]一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法在审
申请号: | 201810657130.0 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108658614A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 李斌斌;袁小森;黄海泉;毛帮笑;汤浩;饶志远 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/84 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法,将三聚氰胺泡沫高温热解为多孔碳泡沫,将碳泡沫通过加工为复杂构件模型,浸渍催化剂溶液,干燥后通过化学气相沉积在多孔碳泡沫模型中制备碳化硅纳米线,填充多孔碳泡沫孔洞,通过高温氧化去除碳泡沫模型基体,得到碳化硅纳米线构成的模型,通过化学气象浸渗(CVI)增密,得到近净尺寸碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件;本发明具有的优点:1、碳化硅陶瓷基复合材料构件预制体通过原位生长碳化硅纳米线自组装一次成型,工艺简单,省去复杂的后续机加工程序;2、碳化硅陶瓷基复合材料构件由碳化硅纳米线和碳化硅陶瓷基体组成,致密度高,强度高,抗氧化。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅陶瓷 碳化硅纳米线 复杂构件 复合材料 多孔碳 复合材料构件 碳泡沫 成型 碳化硅陶瓷基体 孔洞 化学气相沉积 三聚氰胺泡沫 浸渍催化剂 高温热解 高温氧化 化学气象 模型基体 泡沫模型 一次成型 原位生长 机加工 抗氧化 预制体 自组装 浸渗 去除 填充 制备 加工 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法,其特征在于,包括复杂构件近净尺寸1∶1比例碳泡沫模型制备、1∶1比例近净尺寸碳化硅纳米线预制体原位生长成型、氧化去除碳泡沫基体、CVI增强增密。碳化硅陶瓷基复合材料由碳化硅纳米线预制体与碳化硅基体组成,密度为2.6‑2.8g/cm3。
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