[发明专利]一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层，沟道层，低浓度陷阱掺杂缓冲层，高浓度陷阱掺杂缓冲层，与源极相连P型埋层，漏场板；所述源极相连P型埋层位于低浓度陷阱掺杂缓冲层中，所述漏场板位于钝化层上并栅极延伸。本发明的晶体管工作于关态高压时，P型埋层与漏极相连可以充分耗尽沟道和缓冲层中的载流子，从而降低缓冲层中的泄漏电流，同时调制栅漏之间的电场分布。在P型埋层与漏极相连的基础上，漏场板可以进一步调制漏端的电场，最终使该结构器件相对于传统的纯栅场板AlGaN/GaN绝缘栅场效应晶体管，耐压特性上有明显的改善。

主权项

1.一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管，包括源极(302)、漏极(303)，漏场板(304)、栅极(305)、栅介质层(306)、钝化层(307)、势垒层(308)、沟道层(309)、低浓度陷阱掺杂缓冲层(310)、P型埋层(311)、高浓度陷阱掺杂缓冲层(312)；其特征在于：从上到下依次为钝化层(307)、势垒层(308)、沟道层(309)、低浓度陷阱掺杂缓冲层(310)和高浓度陷阱掺杂缓冲层(312)；所述的源极(302)与钝化层(307)、势垒层(308)、沟道层(309)、P型埋层(311)连接，漏极(304)与钝化层(307)、势垒层(308)、沟道层(309)连接，栅介质层(306)底部与低浓度陷阱掺杂缓冲层(310)接触，侧部与钝化层(307)、势垒层(308)、沟道层(309)接触，栅极金属(305)置于栅介质层(306)上，所述P型埋层(311)位于低浓度陷阱掺杂缓冲层(310)中，厚度为TPBL，长度为Ld，距离沟道层(309)与低浓度陷阱掺杂缓冲层(310)之间的界面的距离为TS；所述漏场板(304)位于钝化层(307)上并向栅极方向延伸，且与漏极(303)连接，长度为Ldfp；所述低浓度陷阱掺杂缓冲层(310)掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度为范围为1×1016—2×1017cm‑3，厚度为Tb；所述高浓度陷阱掺杂缓冲层(310)，位于低浓度陷阱掺杂缓冲层(312)下方，掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度为范围为5×1017—1×1019cm‑3，长度为Lsd；所述漏极(303)与栅极距离为Lgd，范围0—20μm；P型埋层(311)长度范围为0μm

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