[发明专利]具有分段共享源极区域的三维异或串有效
| 申请号： | 201810657596.0 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109103201B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | E.哈拉里;R.A.切尔内亚 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | H10B43/20 | 分类号： | H10B43/20;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种NOR串包括共享位线的多个可个别寻址的薄膜存储晶体管，其中所述可个别寻址的薄膜晶体管进一步被分组为预定数目片段。在每一片段中，该片段的薄膜存储晶体管共享源极线片段，该源极线片段与NOR串内的其他片段中的其他源极线片段电隔离。可以沿着在半导体衬底的表面之上并且平行于半导体衬底的表面提供的半导体层的有源条带，形成NOR串，其中每个有源条带包括第一导电性的第一和第二半导体子层、以及第二导电性的第三半导体子层，其中共享位线和每个源极线片段分别形成在第一和第二半导体子层中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分段 共享 区域 三维 | ||
【主权项】：
1.一种NOR串，包括共享位线的多个可个别寻址的薄膜存储晶体管，其中所述可个别寻址的薄膜存储晶体管被划分为多个片段，每一片段包括该片段内的薄膜存储晶体管共享的对应源极线片段，并且其中所述源极线片段彼此电气隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日升存储公司，未经日升存储公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810657596.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
