[发明专利]极化电场辅助的空穴供给和p型接触结构、使用该结构的发光器件和光电探测器有效
| 申请号： | 201810657741.5 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109686822B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张剑平;高英;周瓴 | 申请（专利权）人： | 博尔博公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L31/0352;H01L31/105 |
| 代理公司： | 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 | 代理人： | 刘雁君 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于发光器件或者光电探测器的空穴供给和p‑接触结构包括p型III族氮化物结构以及在其上形成的空穴供给和p‑接触层，所述空穴供给和p‑接触层由含Al的III族氮化物制成，并且处于双轴面内张应力应变下，所述空穴供给和p‑接触层的厚度在0.6‑10nm的范围内，并且所述p型III族氮化物结构形成在发光器件或者光电探测器的有源区上。还提供了一种具有空穴供给和p‑接触结构的发光器件和光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 极化 电场 辅助 空穴 供给 接触 结构 使用 发光 器件 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种用于发光器件或光电探测器的空穴供给和p‑接触结构，包括：p型III族氮化物结构；以及空穴供给和p‑接触层，在所述p型III族氮化物结构上形成，并且处于双轴面内张应力应变下，所述空穴供给和p‑接触层由含Al的III族氮化物制成，其中，所述空穴供给和p‑接触层的厚度在0.6‑10nm的范围内，并且所述p型III族氮化物结构形成在所述发光器件或者光电探测器的有源区上。
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