[发明专利]一种水平电化学沉积金属的方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201810658609.6 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN108660500B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 李中天;姚宇;邓晓帆 申请(专利权)人: 苏州太阳井新能源有限公司
主分类号: C25D17/00 分类号: C25D17/00;C25D17/12;C25D7/12
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215127 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种水平电化学沉积金属的方法,将半导体器件进行水平移动,同时采用整面接触式或多点接触式使上电极与半导体器件上表面进行接触,半导体器件下方待电化学沉积金属表面与电解液溶液接触,电解质溶液中的金属离子获得电子并沉积在其表面,上电极与电解质溶液接触的半导体器件下表面之间的电位差通过光诱导,外加电压或两者结合实现。本发明还公开了一种水平电化学沉积金属的装置。本发明的一种水平电化学沉积金属的方法及其装置,能够在电池的透明导电膜表面或者钝化膜表面上实行可靠的、可量产化的金属化制程。
搜索关键词: 一种 水平 电化学 沉积 金属 方法 及其 装置
【主权项】:
1.一种水平电化学沉积金属的方法,其特征在于:将半导体器件进行水平移动,同时采用整面接触式或多点接触式使上电极与半导体器件上表面进行接触,半导体器件下方待电化学沉积金属表面与电解液溶液接触,电解质溶液中的金属离子获得电子并沉积在其表面,上电极与电解质溶液接触的半导体器件下表面之间的电位差通过光诱导,外加电压或两者结合实现。
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