[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810658951.6 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109119423B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吉富敦司;川岛祥之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/00 | 分类号： | H10B43/00;H10B43/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提供一种半导体装置，该半导体装置通过将包括鳍式晶体管的MONOS存储器的鳍的形状导致的电子和空穴到电荷累积膜中的注入分布的不均匀性缓和来具有改善的可靠性。在形成在鳍之上的构造存储器单元的存储器栅极电极中，与ONO膜邻接的覆盖鳍的上表面的部分和与ONO膜邻接的覆盖鳍的侧表面的部分分别由功函数不同的电极材料制成，它们之间的边界表面位于鳍的上表面下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；突出半导体层，所述突出半导体层是所述半导体衬底的一部分，从所述半导体衬底的主表面突出，并沿着所述主表面在第一方向上延伸；栅极电极，所述栅极电极隔着包含电荷累积膜的绝缘膜与所述突出半导体层的上表面和侧表面相邻，并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区在所述突出半导体层的所述第一方向上将所述栅极电极夹在之间，其中所述栅极电极具有隔着所述绝缘膜与所述突出半导体层的所述侧表面相邻的第一栅极电极和隔着所述绝缘膜与所述突出半导体层的所述上表面相邻的第二栅极电极，其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极分别包括不同的电极材料，以及其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的边界表面相对于所述突出半导体层的所述上表面位于所述主表面侧。
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