[发明专利]一种垂直结构LED器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810659269.9 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108847433B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 沈奕;吕岳敏 | 申请（专利权）人： | 汕头超声显示器技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 515041 广东省汕头市龙湖区龙江*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直结构LED器件的制造方法，包括：步骤一、在外延基底上生长出LED器件的半导体发光层；步骤二、在半导体发光层的外侧形成具有软磁性的软磁金属层，至少所述软磁金属层与半导体发光层构成LED器件；步骤三、在外延基底的背面照射紫外激光使得半导体发光层的底部发生分解，同时在LED器件的外侧放置磁铁，利用磁铁与软磁金属层之间的磁吸力，将LED器件从外延基底上吸附出来，得到垂直结构的LED器件。这种垂直结构LED器件的制造方法，其LED器件在剥离时不需采用紫外降粘胶纸，因而不存在紫外降粘胶的污染问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体发光层 垂直结构LED 软磁金属 基底 磁铁 降粘 制造 背面照射 垂直结构 污染问题 紫外激光 磁吸力 软磁性 胶纸 吸附 剥离 分解 生长 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构LED器件的制造方法，其特征为，包括：步骤一、在外延基底上生长出LED器件的半导体发光层，在半导体发光层之上涂布光敏树脂并将其图形化为多个裸露出半导体发光层外侧的块状孔；步骤二、通过在半导体发光层最外侧上通电电镀使软磁性金属的电镀膜层生长在光敏树脂的块状孔中，最后剥离掉光敏树脂而留下块状的软磁金属层，由此，在半导体发光层的外侧形成具有软磁性的软磁金属层，至少所述软磁金属层与半导体发光层构成LED器件；步骤三、在外延基底的背面照射紫外激光使得半导体发光层的底部发生分解，同时在LED器件的外侧放置磁铁，利用磁铁与软磁金属层之间的磁吸力，将LED器件从外延基底上吸附出来，得到垂直结构的LED器件，其中：所述软磁金属层所覆盖的半导体发光层保持完整，而无软磁金属层覆盖的半导体发光层发生破碎，由此形成多个尺寸轮廓由软磁金属层覆盖区域所定义的LED器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汕头超声显示器技术有限公司，未经汕头超声显示器技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810659269.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
