[发明专利]一种基于阳极氧化-二次刻蚀的无损微纳结构加工方法在审
| 申请号： | 201810659326.3 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108821230A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 余丙军;郭光冉;李嘉明;周超;邓昌邦;钱林茂 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于阳极氧化‑二次刻蚀的无损微纳结构加工方法，包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)基片表面进行氧化层去除处理，再对其表面进行清洗；S2、利用原子力显微镜探针，通过阳极氧化在单晶硅(100)基片表面上加工一层氧化薄膜图案作为掩膜；S3、采用TMAH溶液对单晶硅(100)基片表面进行刻蚀，得到所需纳米结构；S4、采用HF溶液对经过步骤S3处理的单晶硅(100)基片进行刻蚀，以完全去除氧化薄膜，获得所需无损微纳结构。该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉，利用该方法加工出的衬底结构，相比其他的外延生长的发光衬底，具有不损伤基底的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 基片表面 微纳结构 阳极氧化 无损 二次刻蚀 氧化薄膜 加工 刻蚀 原子力显微镜探针 氧化层去除 衬底结构 纳米结构 外延生长 衬底 基底 掩膜 去除 发光 清洗 损伤 图案 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种基于阳极氧化‑二次刻蚀的无损微纳结构加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)基片表面进行氧化层去除处理，再对其表面进行清洗；S2、利用原子力显微镜探针，通过阳极氧化在单晶硅(100)基片表面上加工一层氧化膜图案作为掩膜；S3、采用TMAH溶液对单晶硅(100)基片表面进行刻蚀，得到所需纳米结构；S4、采用HF溶液对经过步骤S3处理的单晶硅(100)基片进行刻蚀，以完全去除氧化膜，获得所需无损微纳结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810659326.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
