[发明专利]一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法

摘要

本发明提供一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法，所述制备方法包括：硅片表面预处理步骤，将硅片进行表面腐蚀预处理，得到处理后的硅片；晶种生长步骤，将晶种溶液加入生长溶液中，对混合液进行搅拌，再静置，得到金纳米颗粒溶液；制备金纳米颗粒掩模，将金纳米颗粒溶液旋涂至处理后的硅片表面，干燥后，金纳米颗粒经自组装平铺在处理后的硅片表面，得到具有金纳米颗粒掩模的硅片；反应离子刻蚀，将具有金纳米颗粒掩模的硅片放置在刻蚀气体气氛中进行反应离子刻蚀，再经超声水洗，得到具有锯齿状结构的高效绒光面。所述制备方法操作简单的，成本较低，适合大规模生产；制备得到的陷光绒面性能较好。

主权项

1.一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)硅片表面预处理步骤，将硅片进行表面腐蚀预处理，得到处理后的硅片；b)晶种生长步骤，将晶种溶液加入生长溶液中，对混合液进行搅拌，再静置，得到金纳米颗粒溶液；c)制备金纳米颗粒掩模，将金纳米颗粒溶液旋涂至处理后的硅片表面，再经干燥后，金纳米颗粒经自组装平铺在处理后的硅片表面，得到具有金纳米颗粒掩模的硅片；d)反应离子刻蚀步骤，将具有金纳米颗粒掩模的硅片放置在刻蚀气体气氛中进行反应离子刻蚀，形成具有陷光绒面结构的硅表面，再经超声水洗，去除剩余的金纳米颗粒得到超高效陷光绒面。