[发明专利]MEMS电容式麦克风有效

专利信息
申请号: 201810660834.3 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN109005490B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 邹泉波;董永伟 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04
代理公司: 11442 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 王昭智;马佑平
地址: 261031 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种MEMS电容式麦克风,包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜,第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔;其中,振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离;在衬底上位于真空腔一侧的位置设置有与振膜构成电容器结构的下电极,振膜与下电极之间的电场为100‑300V/μm。本发明的麦克风,可以在真空腔内形成高电场而不会造成击穿的问题,大大提高了本发明MEMS麦克风的灵敏度;真空腔可以降低声阻对振膜振动的影响,提高麦克风的信噪比;另外,由于该结构的MEMS麦克风不需要较大容积的背腔,因此可以大大降低MEMS麦克风的整体尺寸,增强了麦克风的可靠性。
搜索关键词: 振膜 衬底 真空腔 麦克风 电容式麦克风 间隔部 下电极 电容器结构 电场 大气压力 偏转距离 振膜振动 高电场 灵敏度 信噪比 背腔 击穿 声阻 支撑
【主权项】:
1.一种MEMS电容式麦克风,其特征在于:包括第一衬底以及通过间隔部支撑在第一衬底上方的振膜,所述第一衬底、间隔部、振膜围成了真空腔;其中,振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与第一衬底之间的距离;/n在所述第一衬底上位于真空腔一侧的位置设置有与振膜构成电容器结构的下电极,其中,所述振膜与下电极之间的电场为100-300V/μm;/n所述真空腔内的压力小于1kPa,所述振膜的机械灵敏度为0.02至0.9nm/Pa,所述振膜和衬底之间的初始间隙为1-100μm。/n
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