[发明专利]一种具有无Cd缓冲层的CIGS太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有无Cd缓冲层的太阳能电池及其制备方法，包括依次设置的基底、背电极层、CIGS吸收层、缓冲层、透明导电层、顶电极，其中，所述缓冲层为Zn基化合物Zn(S,O)。本发明的缓冲层采用Zn基化合物,生产过程没有Cd参与，更加环保、可靠；缓冲层采用Zn(S,O)，具有更宽带隙，可以更有效利用太阳光提升电流密度从而增加电池效率；缓冲层与其他膜层的生产工艺相匹配，同属真空干法，提高了生产效率，有利于大规模生产，提高产能。

主权项

1.一种具有无Cd缓冲层的太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的基底、背电极层、CIGS吸收层、缓冲层、透明导电层、顶电极，其中，所述缓冲层为Zn基化合物Zn(S,O)。