[发明专利]基于忆阻器和CMOS的内容可寻址存储单元及数据搜索匹配方法

摘要

本发明公开了一种基于忆阻器和CMOS晶体管的内容可寻址存储单元、读写操作及其数据搜索匹配方法；基于忆阻器和CMOS晶体管的内容可寻址存储单元利用忆阻器的阻变特性和非易失性，由两个忆阻器和两个晶体管以特殊的连接方式构成。内容可寻址单元继承了忆阻器体积小、功耗低、可拓展性强的优点。相较于传统内容可寻址存储单元，内容可寻址存储单元提供了更大的存储空间，实现了更简单的读写操作和数据搜索匹配操作，为内容可寻址存储器设计提供了一种新的思路。内容可寻址存储单元由晶体管和忆阻器共同构成。读写操作以及数据搜索匹配操作通过在单元的输入输出线施加不同的操作电压来实现，读写操作简单，所需步骤少。

主权项

1.一种基于忆阻器和CMOS晶体管的内容可寻址存储单元，其特征在于，包括第一忆阻器X、第二忆阻器Y、第一晶体管TX和第二晶体管TY；所述第一忆阻器X的第一端和所述第二忆阻器Y的第一端相连接；所述第一忆阻器X的第二端作为所述内容可寻址存储单元的第三输入端；所述第二忆阻器Y的第二端作为所述内容可寻址存储单元的控制端；所述的第一晶体管TX的漏极作为所述内容可寻址存储单元的第一输入端；所述的第一晶体管TX的源极作为所述内容可寻址存储单元的输出端；所述的第二晶体管TY的源极作为所述内容可寻址存储单元的第二输入端；所述的第二晶体管TY的漏极作为所述内容可寻址存储单元的输出端；所述第一晶体管TX的门极和所述第二晶体管TY的门极相连接；所述的第一忆阻器X的第一端、所述第二忆阻器的第二端、所述第一晶体管的TX的门极和所述第二晶体管TY的门极相连接。