[发明专利]一种非易失存储器处理方法及装置有效
| 申请号： | 201810661690.3 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634521B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 马思博;陈飞;舒清明 | 申请（专利权）人： | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种非易失存储器处理方法及装置，该方法包括：获取非易失存储器中的当前编程脉冲状态；根据所述当前编程脉冲状态，确定调节电压；确定当前编程脉冲对应的第一电压；根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一编程脉冲对应的第二电压；在所述下一编程脉冲中，根据所述第二电压进行编程操作。本发明实施例中，第二电压是根据当前的对非易失存储器的实际编程情况确定的，在下一编程脉冲中根据第二电压进行编程操作，可以实现对非易失存储器的整个编程过程中，进行可靠且高效的编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储器处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取非易失存储器中的当前编程脉冲状态；/n根据所述当前编程脉冲状态，确定调节电压；/n确定当前编程脉冲对应的第一电压；/n根据所述调节电压和所述第一电压，确定下一编程脉冲对应的第二电压；/n在所述下一编程脉冲中，根据所述第二电压进行编程操作。/n
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