[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810661927.8 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634951B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 唐粕人 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：形成第一类型鳍侧墙和第二类型鳍侧墙，第一类型鳍侧墙分别位于第三鳍部区组在第三鳍部区宽度方向上的两侧侧壁、以及第四鳍部区组在第四鳍部区宽度方向上的两侧侧壁，第二类型鳍侧墙位于在第三鳍部区宽度方向上相邻的第三鳍部区之间且位于第三鳍部区的侧壁，第二类型鳍侧墙还位于在第四鳍部区宽度方向上相邻的第四鳍部区之间且位于第四鳍部区的侧壁，第一类型鳍侧墙的顶部表面高于第二类型鳍侧墙的顶部表面、且高于第三鳍部区和第四鳍部区的顶部表面；之后形成第一掺杂层和第二掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区和与第一区相邻的第二区，半导体衬底第一区上具有多个相邻的第一鳍部，半导体衬底第二区上具有多个相邻的第二鳍部，各第一鳍部包括第一鳍部区，各第二鳍部包括第二鳍部区；/n刻蚀第一鳍部区，使第一鳍部区形成第三鳍部区，第三鳍部区的顶部表面低于第一鳍部区的顶部表面，多个第三鳍部区构成第三鳍部区组；/n刻蚀第二鳍部区，使第二鳍部区形成第四鳍部区，第四鳍部区的顶部表面低于第二鳍部区的顶部表面，多个第四鳍部区构成第四鳍部区组；/n形成第一类型鳍侧墙和第二类型鳍侧墙，第一类型鳍侧墙分别位于第三鳍部区组在第三鳍部区宽度方向上的两侧侧壁、以及第四鳍部区组在第四鳍部区宽度方向上的两侧侧壁，第二类型鳍侧墙位于在第三鳍部区宽度方向上相邻的第三鳍部区之间且位于第三鳍部区的侧壁，第二类型鳍侧墙还位于在第四鳍部区宽度方向上相邻的第四鳍部区之间且位于第四鳍部区的侧壁，第一类型鳍侧墙的顶部表面高于第二类型鳍侧墙的顶部表面、且高于第三鳍部区和第四鳍部区的顶部表面；/n在第一区的第一类型鳍侧墙之间形成第一掺杂层，且第一掺杂层位于第三鳍部区组和第一区的第二类型鳍侧墙上，在形成第一掺杂层的同时，在第二区的第一类型鳍侧墙之间形成第二掺杂层，且第二掺杂层位于第四鳍部区组和第二区的第二类型鳍侧墙上，第三鳍部区上的第一掺杂层在第三鳍部区宽度方向上相互连接，第四鳍部区上的第二掺杂层在第四鳍部区宽度方向上相互连接。/n
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