[发明专利]互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及影像传感器的形成方法

摘要

本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。

主权项

1.一种互补式金属－氧化物－半导体影像传感器，包括：一基底，具有一前侧与一背侧，该背侧与该前侧相反；多个像素区，置于该基底中，该些像素区分别具有一光学二极管，配置该光学二极管而将从该背侧进入该基底的辐射转换成电性信号；以及一背侧深沟槽隔离结构，置于相邻的像素区之间的一深沟槽的范围内，从该基底的该背侧延伸至该基底的内部；其中该背侧深沟槽隔离结构包括一掺杂层与一介电填充层，该掺杂层具有第一掺杂形式，该掺杂层顺着该深沟槽的一侧壁表面排列，该介电填充层填充该深沟槽的剩余空间。