[发明专利]一种新型碳化硅雪崩二极管阵列良率及击穿电压测试方法有效
| 申请号： | 201810662970.6 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109031059B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张衡;陆海;莫晓帆;周东;张用 | 申请（专利权）人： | 南京大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/26 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种新型碳化硅雪崩二极管阵列良率及击穿电压测试方法，包括：随机选取新型碳化硅雪崩二极管阵列中两个以上的器件测试I‑V特性，得到击穿电压平均值V |
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| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 雪崩 二极管 阵列 击穿 电压 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型碳化硅雪崩二极管阵列良率及击穿电压测试方法，其特征在于：包括如下步骤：1)随机选取新型碳化硅雪崩二极管阵列中两个以上的器件测试I‑V特性，分别得到每个被测器件的击穿电压，再计算得到击穿电压平均值Vb；2)取击穿电压平均值Vb的1.1倍作为测试最高电压，对新型碳化硅雪崩二极管阵列中单个器件上加偏置电压，并逐渐增加偏压到测试最高电压；3)以电流大小分别为10‑7A和10‑6A作为击穿点和限流点，在加压测试过程中电流达到10‑7A，此时达到击穿电压Vb；若在测试最高电压下仍未达到击穿电压对应的电流点10‑7A，则判断器件无法击穿，器件不可用，若在小于等于测试最高电压下达到击穿电压对应的电流点10‑7A，进入下一步测试；4)在单个器件上加0‑Vb不为零的偏置电压，若电流值小于限流值10‑6A，则器件正常可用；若电流值大于限流值10‑6A，则器件因高压测试而损坏，不可用。
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