[发明专利]一种薄膜工艺集成方法在审
| 申请号： | 201810663303.X | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108879059A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曹乾涛;董航荣;赵海轮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 董喜 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种薄膜工艺集成方法，包括以下步骤：在介质基片上、下表面均沉积由粘附层、导体层组成的金属种子层薄膜；在介质基片上表面采用阳版正胶工艺光刻导体图形，然后刻蚀导体层，再剥离光刻胶；在介质基片上表面采用阴版正胶工艺光刻导体图形，掩膜电镀导体层，在介质基片下表面电镀导体层；将介质基片上表面的图形化光刻胶区剥离干净，然后完成粘附层薄膜的刻蚀；划切电路外形。本发明有效解决了光刻胶掩膜图形电镀工艺后道工序湿法刻蚀暴露出的金属种子层薄膜导体层时，因其和电镀加厚的导体层图形之间形成较大的台阶带来的导体图形精度变差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 介质基片 导体图形 导体层 上表面 金属种子层 薄膜工艺 下表面 粘附层 光刻 刻蚀 正胶 薄膜 光刻胶掩膜图形 图形化光刻胶 薄膜导体层 导体层图形 电镀导体层 电镀工艺 湿法刻蚀 掩膜电镀 有效解决 光刻胶 加厚的 再剥离 电镀 变差 沉积 电路 剥离 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜工艺集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(101)：在介质基片上、下表面均沉积由粘附层、导体层组成的金属种子层薄膜；步骤(102)：在介质基片上表面采用阳版正胶工艺光刻导体图形，然后刻蚀导体层，再剥离光刻胶；步骤(103)：在介质基片上表面采用阴版正胶工艺光刻导体图形，掩膜电镀导体层，在介质基片下表面电镀导体层；步骤(104)：将介质基片上表面的图形化光刻胶区剥离干净，然后完成粘附层薄膜的刻蚀；步骤(105)：划切电路外形。
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