[发明专利]一种沟槽MOS场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽MOS场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1：初始氧化：准备好待提取的晶片，对晶片进行无尘处理，并将晶片放入烘箱内进行烘干，烘干完成后在晶片上以LPCVD方式沉积5000埃SiO₂，并对SiO₂进行致密化，S2：硬掩膜光刻：将S1中所述的SiO2上涂覆光刻胶，采用i线光刻设备对所述光刻胶进行曝光处理，形成开口，S3：硬掩膜刻蚀：沿所述光刻胶的所述开口对所述SiO2进行刻蚀处理，刻蚀后去除所述光刻胶，所述光刻胶去除后，将所述晶片放入烘箱中进行烘干。利用现有光刻设备配合新的制作工艺，实现了标准工艺下需要更先进的光刻机才能制作的产品结构，既充分利用了现有光刻设备资源，节约了生产成本，同时提升了产品的市场竞争力。

主权项

1.一种沟槽MOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：初始氧化：准备好待提取的晶片，对晶片进行无尘处理，并将晶片放入烘箱内进行烘干，烘干完成后在晶片上以LPCVD方式沉积5000埃SiO2，并对SiO2进行致密化；S2：硬掩膜光刻：将S1中所述的SiO2上涂覆光刻胶，采用i线光刻设备对所述光刻胶进行曝光处理，形成开口；S3：硬掩膜刻蚀：沿所述光刻胶的所述开口对所述SiO2进行刻蚀处理，刻蚀后去除所述光刻胶，所述光刻胶去除后，将所述晶片放入烘箱中进行烘干；S4：垫片沉积：将S3中所述的晶片正面沉积2500埃SiO2；S5：垫片刻蚀：将S4中所述的晶片正面沉积的SiO2进行垫片刻蚀处理；S6：沟槽刻蚀：将S5中的SiO2刻蚀为掩膜层，在晶片正面进行刻蚀处理。