[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法有效
申请号: | 201810665289.7 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108878546B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;蒋猛;钱双 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法,所述碲化镉薄膜太阳电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、第一背接触层、第二背电极层,所述窗口层的材料为硫化镉薄膜,所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜,所述背接触层的材料为氮化铜薄膜,背电极层的材料为镍钒合金。本申请的技术方案可以克服传统碲化镉电池铜掺杂过程铜元素扩散造成的衰减降低及生产成本高的问题,所述背接触结构能降低与碲化镉的接触势垒,形成欧姆接触,双层背接触结构进一步提高载流子电导率,从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碲化镉薄膜太阳电池,其特征在于,所述碲化镉薄膜太阳电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、第一背接触层、第二背接触层、背电极层,所述窗口层的材料为硫化镉薄膜,所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜,所述第一背接触层的材料为氮化铜薄膜或金属掺杂氮化铜薄膜,所述第二背接触层为氮化钼薄膜,所述背电极层的材料为镍钒合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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