[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810665289.7 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN108878546B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;蒋猛;钱双 申请(专利权)人: 成都中建材光电材料有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/073;H01L31/18
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 代理人: 李华;温黎娟
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法,所述碲化镉薄膜太阳电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、第一背接触层、第二背电极层,所述窗口层的材料为硫化镉薄膜,所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜,所述背接触层的材料为氮化铜薄膜,背电极层的材料为镍钒合金。本申请的技术方案可以克服传统碲化镉电池铜掺杂过程铜元素扩散造成的衰减降低及生产成本高的问题,所述背接触结构能降低与碲化镉的接触势垒,形成欧姆接触,双层背接触结构进一步提高载流子电导率,从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能。
搜索关键词: 一种 碲化镉 薄膜 太阳电池 制备 方法
【主权项】:
1.一种碲化镉薄膜太阳电池,其特征在于,所述碲化镉薄膜太阳电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、第一背接触层、第二背接触层、背电极层,所述窗口层的材料为硫化镉薄膜,所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜,所述第一背接触层的材料为氮化铜薄膜或金属掺杂氮化铜薄膜,所述第二背接触层为氮化钼薄膜,所述背电极层的材料为镍钒合金。
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