[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810665699.1 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634952B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 刘建强;田超;刘自瑞;张净云;王爱记 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底内具有开口；在所述开口内形成第一栅极层，所述第一栅极层封闭开口顶部，且第一栅极层内具有空隙；在所述第一栅极层顶部形成第二栅极层，第二栅极层材料的原子半径小于第一栅极层材料中原子之间的间隙；进行退火处理，第二栅极层的原子穿过第一栅极层，使所述空隙被充满。所述方法形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底内具有开口；/n在所述开口内形成第一栅极层，所述第一栅极层封闭开口顶部，且第一栅极层内具有空隙；/n在所述第一栅极层顶部形成第二栅极层，所述第二栅极层材料的原子半径小于第一栅极层材料中原子之间的间隙；/n进行退火处理，第二栅极层材料中的原子穿过第一栅极层，使所述空隙被充满。/n
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