[发明专利]单片式多结能量转换器在审
申请号: | 201810666885.7 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN108807571A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 费伦·苏阿雷兹阿里亚斯 | 申请(专利权)人: | 太阳结公司 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/054;H01L31/0687 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种共振腔能量转换器,该共振腔能量转换器用于转换介于1微米至1.55微米的波长范围内的辐射。共振腔能量转换器可包括一个或多个晶格匹配的GaInNAsSb结,并且可包括用于提高能量转换效率的分布式布拉格反射器和/或镜面。 | ||
搜索关键词: | 能量转换器 共振腔 分布式布拉格反射器 能量转换效率 晶格匹配 镜面 单片式 波长 多结 辐射 转换 | ||
【主权项】:
1.单片式能量转换器,包括:衬底;两个或更多个GaInNAsSb结,所述两个或更多个GaInNAsSb结在所述衬底的上方,其中,所述两个或更多个GaInNAsSb结中的每个GaInNAsSb结与所述衬底晶格匹配并且具有与单色光源的能量匹配的带隙,其中,所述单色光源发射波长范围在1.0μm至1.55μm之间的单色光;隧道结,所述隧道结将所述两个或更多个GaInNAsSb结中的每个GaInNAsSb结分开;第一半导体层,所述第一半导体层在所述两个或更多个GaInNAsSb结的下方并且在所述衬底的上方;以及第二半导体层,所述第二半导体层在所述两个或更多个GaInNAsSb结的上方;以及其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层在所述单色光的波长不进行吸收。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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