[发明专利]金刚石基氮化镓器件制造方法有效
| 申请号： | 201810667077.2 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108598036B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金刚石基氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上生长氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上粘合临时载片；去除所述衬底，并倒置形成的临时载片‑氮化镓缓冲层结构；在倒置后的氮化镓缓冲层上形成介质层；在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；去除所述临时载片，并将形成的氮化镓缓冲层‑介质层‑金刚石层结构倒置。综上所示，本申请所提供的金刚石基的氮化镓器件制造方法，通过形成图案化的金刚石层，大幅降低金刚石与氮化镓之间的应力，从而降低大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的制造难度，有利于大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 氮化 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石基氮化镓器件制造方法，其特征在于，包括：在衬底上生长氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上粘合临时载片；去除所述衬底，并倒置形成的临时载片‑氮化镓缓冲层结构；在倒置后的氮化镓缓冲层上形成介质层；在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；去除所述临时载片，并将形成的氮化镓缓冲层‑介质层‑金刚石层结构倒置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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