[发明专利]铜铟镓硒废芯片的回收方法及回收系统在审
| 申请号： | 201810669830.1 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108754153A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李红科;李胜春 | 申请（专利权）人： | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22B7/00 | 分类号： | C22B7/00;C22B1/02;C22B58/00;C22B15/00;C22B34/34;C01B19/02;C25C1/12;C25C1/22 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 谢丽莎 |
| 地址： | 101407 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种铜铟镓硒废芯片的回收方法及系统。该回收方法包括：对铜铟镓硒物料进行氧化焙烧，以使所述铜铟镓硒物料中的薄膜功能层与衬底基板分离，并得到含有氧化硒气体的烟气；对所述含有氧化硒气体的烟气进行处理，以得到单质硒；对所述薄膜功能层进行处理，以分别得到单质铜、单质铟和单质镓。该技术方案可实现铜铟镓硒薄膜功能层与衬底基板的分离，以便于降低铜铟镓硒的提纯难度并提高其回收率。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 功能层 衬底基板 氧化硒 单质 回收 烟气 薄膜 芯片 铜铟镓硒薄膜 回收系统 氧化焙烧 单质铜 单质硒 提纯 回收率 | ||
【主权项】：
1.一种铜铟镓硒废芯片的回收方法，包括下述步骤：预处理，对铜铟镓硒废芯片的一侧进行抛光处理，使薄膜功能层中位于衬底基板表面的钼电极层露出；第一段氧化焙烧处理，在350～500℃温度下，对铜铟镓硒废芯片进行焙烧，得到含有氧化硒气体的烟气以及焙烧渣；第二段氧化焙烧处理，在800～1000℃温度下，对所述焙烧渣进行再次焙烧，使所述铜铟镓废芯片中的薄膜功能层与衬底基板分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉能新材料科技有限公司，未经汉能新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810669830.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种从银离子吸附剂中回收银的方法
- 下一篇：一种分类回收线路板中金属的方法
