[发明专利]负电容结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810671100.5 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109585287A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 叶凌彦;威尔曼·蔡;卡罗斯·H·戴尔兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L27/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在电路的形成方法中，电路包含金属氧化物半导体场效晶体管区中的金属氧化物半导体场效晶体管，以及负电容场效晶体管区中的负电容场效晶体管。此方法包括形成介电层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的通道层上。形成第一金属层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的介电层上。在形成第一金属层之后，只在负电容场效晶体管区中进行退火步骤。在退火步骤之后，自金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区移除第一金属层。退火步骤包括以能量束照射负电容场效晶体管区中的第一金属层与介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容场 晶体管区 金属氧化物半导体 场效晶体管 第一金属层 退火 介电层 电路 能量束照射 电容结构 通道层 晶体管 移除 | ||
【主权项】：
1.一种负电容结构的形成方法，包括：形成一介电层于一基板上；形成一第一金属层于该介电层上；以及在形成该第一金属层之后，进行一退火步骤；其中该退火步骤包括以一能量束照射该第一金属层与该介电层；以及在该退火步骤之后，该介电层转变为一铁电介电层，且该铁电介电层包括斜方晶相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
