[发明专利]计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法有效

专利信息
申请号: 201810671172.X 申请日: 2018-06-26
公开(公告)号: CN108897945B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 马光金;胡国庆;刘京京;李春来;潘俊;马小娟;何进 申请(专利权)人: 深港产学研基地;北京大学深圳研究院
主分类号: G06F30/30 分类号: G06F30/30;G06F111/10
代理公司: 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 代理人: 满群
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法,该方法包括以下步骤:利用纳米线半径,纳米线长度,氧化物厚度,材料参数和沟道掺杂浓度,计算纳米线场效应晶体管的亚阈斜率因子α和阈值电压Vth;计算出纳米线场效应晶体管沟道中沟道反型电荷密度Q;通过沟道反型电荷密度Q,求解出沟道中等离子体波平均速度。相比于现有技术,本发明从纳米线场效应晶体管的物理模型出发,提出一种新的计算技术,利用沟道掺杂浓度、工作温度和几何参数等,可以在不需要拟合参数的情形下快速计算出栅‑源电压从亚阈值到过阈值连续变化时沟道中的等离子体波速度大小,为太赫兹集成电路设计提供便利。
搜索关键词: 计算 纳米 场效应 晶体管 沟道 等离子体 波速 方法
【主权项】:
1.一种计算纳米线场效应晶体管沟道中等离子体波速度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:101、利用纳米线半径,纳米线长度,氧化物厚度,材料参数和沟道掺杂浓度,计算纳米线场效应晶体管的亚阈斜率因子α和阈值电压Vth;102、计算出纳米线场效应晶体管沟道中单位面积反型电荷Q;103、通过单位面积反型电荷Q,求解出沟道中等离子体波平均速度。
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