[发明专利]一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法在审
| 申请号： | 201810671214.X | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108677246A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法，将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接，在接缝处生长出桥状连接部分，并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层；其中，单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II在拼接处的厚度。解决了金刚石拼接生长过程中拼接缝明显，金刚石容易发生相对移动的问题，从而降低拼接处出现裂纹甚至裂开的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶金刚石 金刚石 衬底 拼接 大面积单晶 拼接处 生长 搭桥 金刚石层 生长过程 外延生长 相对移动 接缝处 拼接缝 裂开 桥状 | ||
【主权项】：
1.一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法，其特征在于，将单晶金刚石衬底I(1)和单晶金刚石衬底II(2)进行拼接，在接缝处生长出桥状连接部分(4)，并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层(3)；其中，单晶金刚石衬底I(1)在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II(2)在拼接处的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810671214.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种废钢材处理方法
- 下一篇：一种改善掺钕钒酸钇晶体吸收的方法
