[发明专利]一种PFM同步升压DC-DC转换器的关断和保护电路有效

专利信息
申请号: 201810671229.6 申请日: 2018-06-26
公开(公告)号: CN108847654B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 陶晓峰;张洪俞;任丽 申请(专利权)人: 南京微盟电子有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 奚幼坚
地址: 210042 江苏省南京市玄武*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种PFM同步升压DC‑DC转换器的关断和保护电路,设置使能真关断电路和短路保护电路,包括最高电位选择电路、PMOS管MP衬底电位选择电路和启动及短路保护电路,PMOS管MP衬底电位选择电路根据输入的逻辑信号V_control,选择电源转换端LX和输出VOUT中高的电位与PMOS管MP衬底相连,实现在使能关断或输出短路时,输入VBAT与输出VOUT之间真正断开。启动及短路保护电路的输出VOUT短路接地时或启动状态小于输入VBAT时,其输出控制PMOS管MP的栅极,使PMOS管MP的电流为设定值,当输出VOUT短路时固定短路电流,实现短路保护,避免损坏同步整流PMOS管MP。
搜索关键词: 短路保护电路 关断 输出 衬底电位 选择电路 使能 电路 转换器 电位选择电路 电位 升压DC-DC 电源转换 短路保护 短路电流 短路接地 关断电路 逻辑信号 启动状态 输出短路 输出控制 同步整流 升压 短路 衬底 断开
【主权项】:
1.一种PFM同步升压DC‑DC转换器的关断和保护电路,PFM同步升压DC‑DC转换器包括外围器件电感L、输入电容CIN、输出电容CO、反馈电阻RFB1、RFB2及负载电阻RLOAD,芯片内部包括基准电压VR、Vb产生电路、使能控制电路EN、振荡器OSC、误差比较器EA、控制逻辑电路PFM、同步驱动电路Driver、限流电路Ilimit、功率NMOS管MN、同步整流PMOS管MP和采样电阻RS;限流电路Ilimit的正输入端连接功率NMOS管MN的源极并通过采样电阻RS接地,限流电路Ilimit的负输入端连接基准电压Vb,NMOS管MN的漏极连接同步整流PMOS管MP的漏极和电感L的能量转换端LX,电感L的输入端连接PFM同步升压DC‑DC转换器的输入VBAT并通过输入电容CIN接地,NMOS管MN的栅极和同步整流PMOS管MP的栅极连接同步驱动电路Driver的输出,同步整流PMOS管MP的源极和衬底作为PFM同步升压DC‑DC转换器的输出VOUT连接VDD;PFM同步升压DC‑DC转换器的输出VOUT经反馈电阻RFB1、RFB2分压后得到采样电压FB连接至误差比较器EA的反向输入端,误差比较器EA的同相输入端连接基准电压VR,误差比较器EA的输出以及振荡器OSC的输出和限流电路Ilimit的输出同时连接至逻辑控制电路PFM,调整控制逻辑电路PFM的输出频率,逻辑控制电路PFM的输出通过同步驱动电路Driver分别控制功率开关管MN及同步整流管MP的导通关断,以改变占空比,从而使PFM同步升压DC‑DC转换器的输出VOUT达到稳压;其特征在于:设置使能真关断电路和短路保护电路,包括VDD最高电位选择电路、同步整流PMOS管MP衬底电位选择电路和启动及短路保护电路;VDD最高电位选择电路比较PFM同步升压DC‑DC转换器的输入VBAT与输出VOUT电位,VDD最高电位选择电路的一个输出端输出逻辑信号V_control,另一个输出端将输入VBAT与输出VOUT中高的电位作为输出VDD_M,为使能控制电路EN、基准电压VR、Vb产生电路、振荡器OSC、限流电路Ilimit、误差比较器EA、控制逻辑电路PFM、同步驱动电路Driver、启动及短路保护电路供电;同步整流PMOS管MP衬底电位选择电路的一个输入端连接逻辑信号V_control,第二个输入端连接电感L的能量转换端LX即同步整流PMOS管MP的漏极,第三个输入端连接同步整流PMOS管MP的源极即PFM同步升压DC‑DC转换器的输出VOUT,同步整流PMOS管MP衬底电位选择电路的输出连接同步整流PMOS管MP的衬底;启动及短路保护电路的两个输入端分别连接输出VOUT和逻辑信号V_control,启动及短路保护电路的输出连接同步整流PMOS管MP的栅极;同步整流PMOS管衬底电位选择电路根据输入的逻辑信号V_control控制,选择电感L的能量转换端LX和输出VOUT中高的电位与同步整流PMOS管衬底相连,以避免同步整流PMOS管MP固定寄生二极管Dio带来的影响,实现在使能关断或输出短路时,输入VBAT与输出VOUT之间真正断开;启动及短路保护电路输入VOUT电位和逻辑信号V_control电位,当输出VOUT短路接地时或启动状态小于输入VBAT电位时,启动及短路保护电路起作用,其输出控制同步整流PMOS管MP的栅极,使同步整流PMOS管MP的电流为设定值,实现启动时恒流充电;当输出VOUT短路时固定短路电流,有效实现短路保护,避免损坏同步整流PMOS管MP;所述VDD最高电位选择电路包括电流源ib1,NMOS管N1、N2及N3,PMOS管P1、P2、P3、P4,P5及P6,电阻R1,非门I1、I3、I5、I7及I9,与非门I2及I4,或非门I6及I8;电流源ib1的输入端连接输入VBAT和PMOS管P1的源极和衬底,电流源ib1的输出端连接NMOS管N1的漏极和栅极以及NMOS管N2的栅极和NMOS管N3的栅极,NMOS管N1、N2及N3的源极和衬底均接地,NMOS管N2的漏极连接PMOS管P1的栅极和漏极以及PMOS管P2的栅极,PMOS管P2的源极和衬底互连并通过电阻R1连接输出VOUT,PMOS管P2的漏极连接NMOS管N3的漏极和非门I1的输入端,非门I1的输出端连接与非门I2的一个输入端,与非门I2的另一个输入端连接使能控制电路EN的输出信号EN_control,与非门I2的输出端连接非门I3的输入端,非门I3输出逻辑信号V_Control;PMOS管P3的漏极连接PMOS管P4的栅极并连接输入VBAT,PMOS管P3的栅极连接PMOS管P4的漏极并连接输出VOUT,PMOS管P3的源极和衬底与PMOS管P4的源极和衬底以及PMOS管P5的衬底和PMOS管P6的衬底连接在一起,PMOS管P5的源极与P6的源极互连并输出VDD_M,PMOS管P5的漏极连接输入VBAT,PMOS管P6的漏极连接输出VOUT,PMOS管P5的栅极连接或非门I6的输出端,PMOS管P6的栅极连接非门I9的输出端,或非门I6的一个输入端连接非门I5的输出端,或非门I6的另一个输入端连接逻辑信号V_Control,非门I5的输入端连接与非门I4的输出端,与非门I4的一个输入端连接使能控制信号EN_control,与非门I4的另一个输入端连接或非门I8的一输入端并连接逻辑信号V_Control,或非门I8的另一输入端连接非门I7的输出端,非门I7的输入端连接使能控制信号EN_control,或非门I8的输出端连接非门I9的输入端,非门I9的输出端连接PMOS管P6的栅极。
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