[发明专利]通过使用负偏压的PEALD沉积膜的方法在审
| 申请号： | 201810671234.7 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109306469A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 铃木俊哉 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过PEALD在衬底上形成膜的方法包含沉积循环，每个沉积循环包含：(i)以脉冲形式将前体馈送到反应空间以使前体吸附在衬底的表面上；(ii)在步骤(i)之后，将RF功率施加于第二电极以在所述反应空间中产生等离子体，前体吸附的所述表面暴露于所述等离子体，由此在所述表面上形成子层；以及(iii)在步骤(ii)中施加RF功率时将偏置电压施加于所述第二电极，参考第一电极的表面上的电位，所述偏置电压为负，其中所述循环重复以沉积多个子层，直到由所述子层构成的膜具有所要厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 前体 等离子体 沉积循环 第二电极 反应空间 偏置电压 施加 衬底 吸附 子层 电位 表面暴露 第一电极 脉冲形式 循环重复 沉积膜 负偏压 沉积 参考 | ||
【主权项】：
1.一种在由面向彼此的电容耦合的第一和第二电极限定的反应空间中通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)在衬底上形成膜的方法，其中所述衬底面向所述第二电极放置在所述第一电极上，所述PEALD包括沉积循环，每个循环包括：(i)以脉冲形式将前体馈送到所述反应空间以使所述前体吸附在所述衬底的表面上；(ii)在步骤(i)之后，将RF功率施加于所述第二电极以在所述反应空间中产生等离子体，前体吸附的所述表面暴露于所述等离子体，由此在所述表面上形成子层；以及(iii)在步骤(ii)中施加RF功率时将偏置电压施加于所述第二电极，参考所述第一电极的表面上的电位，所述偏置电压为负，其中重复所述循环以沉积多个子层，直到由所述子层构成的膜具有所要厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司，未经ASMIP控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810671234.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
