[发明专利]一种基于二碲化钼制备二维热电器件的方法在审
| 申请号： | 201810671407.5 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108878636A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二碲化钼制备二维热电器件的方法，包括以下步骤：在衬底材料上生长一层绝缘介质层；在绝缘介质层上转移一层二碲化钼薄膜；在二碲化钼薄膜表面部分区域覆盖一层光刻胶，形成掩膜，二碲化钼薄膜表面另一部分区域裸露；对二碲化钼薄膜进行辐照，辐照完成后去除光刻胶；分别在经过辐照的二碲化钼薄膜和未经过辐照的二碲化钼薄膜的两端制作第一金属电极和第二金属电极。与现有技术相比，本发明基于二碲化钼材料在辐照后发生半导体—金属相变的特性来构建二维热电器件，具备制作方法简单，体积小，集成度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化 钼薄膜 辐照 热电器件 二维 金属电极 光刻胶 制备 绝缘介质层 衬底材料 金属相变 区域覆盖 集成度 层绝缘 介质层 体积小 钼材料 构建 去除 掩膜 制作 半导体 裸露 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于二碲化钼制备二维热电器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底材料上生长一层绝缘介质层；(2)在绝缘介质层上转移一层二碲化钼薄膜；(3)在二碲化钼薄膜表面部分区域覆盖一层光刻胶，形成掩膜，二碲化钼薄膜表面另一部分区域裸露；(4)对二碲化钼薄膜进行辐照，辐照完成后去除光刻胶；(5)分别在经过辐照的二碲化钼薄膜和未经过辐照的二碲化钼薄膜的两端制作第一金属电极和第二金属电极。
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