[发明专利]一种基于线性均衡器的可调电容装置有效
| 申请号： | 201810671844.7 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108833317B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 唐枋 | 申请（专利权）人： | 重庆湃芯入微科技有限公司 |
| 主分类号： | H04L25/03 | 分类号： | H04L25/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 402260 重庆市江津区双福*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于线性均衡器的可调电容装置，在并联设置的引脚IO3和IO4上分别连接可调电容Cs1和可调电容Cs2，可调电容Cs1连接有MOS场效应管M14；可调电容Cs2连接有MOS场效应管M15；MOS场效应管M14和MOS场效应管M15的源级和漏级中的任意一个级接地；MOS场效应管M14的栅极F和MOS场效应管M15的栅极F连接；MOS场效应管M14和MOS场效应管M15之间还设置有MOS场效应管M16；MOS场效应管M16的栅极F与MOS场效应管M14的栅极F和MOS场效应管M15的栅极F均连接；MOS场效应管M16的源级和漏级分别与可调电容Cs1和可调电容Cs2连接；通过M14、M15、M16的栅极F来控制接入Io3与Io4的电容大小，实现电容的有效调节，从而满足线性均衡器的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 线性 均衡器 可调 电容 装置 | ||
【主权项】：
1.一种，一种基于线性均衡器的可调电容装置，其特征在于，包括两个并联设置分别与引脚IO3和IO4连接的可调电容Cs1和可调电容Cs2；所述可调电容Cs1连接有MOS场效应管M14；所述可调电容Cs2连接有MOS场效应管M15；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15的源级和漏级中的任意一个级接地；所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F连接；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15之间还设置有MOS场效应管M16；所述MOS场效应管M16的栅极F与所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F均连接；所述MOS场效应管M16的源级和漏级分别与所述可调电容Cs1和可调电容Cs2连接。
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