[发明专利]空穴传输材料及其制备方法和量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201810672086.0 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110649136B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种空穴传输材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述空穴传输材料包括硫化锌纳米颗粒和掺杂在所述硫化锌纳米颗粒之间的纳米级氮化碳。将纳米级氮化碳掺杂在硫化锌纳米颗粒中，可得到禁带宽度合适且空穴传输能力强的空穴传输材料，将该空穴传输材料用于制备QLED器件的空穴传输层，可显著提高器件的发光效率、发光稳定性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料包括硫化锌纳米颗粒和掺杂在所述硫化锌纳米颗粒之间的纳米级氮化碳。/n
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