[发明专利]一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法

摘要

一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法,包括含有双惠斯通电桥的硅薄膜及硅衬底，硅衬底从上至下包括保护层、处理层、牺牲层，保护层包括压力浅腔及压力深腔，压力浅腔位于硅薄膜下方，与压力深腔连通，压力深腔另一端和牺牲层连接，处理层包括背腔，背腔一端和牺牲层连接，另一端和外界大气连通，背腔及压力深腔和牺牲层连接的部分在水平方向的投影无重叠，牺牲层包括牺牲层通道，牺牲层通道连通压力深腔和背腔。避免了用深反应离子刻蚀方法形成背腔时，由于刻蚀工艺刻蚀均匀性等问题，导致硅薄膜结构损坏等问题。

主权项

1.一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器,其特征在于：包括含有双惠斯通电桥的硅薄膜及硅衬底，所述硅衬底从上至下包括保护层、处理层及牺牲层，所述保护层包括压力浅腔及压力深腔，所述压力浅腔位于所述硅薄膜下方，与所述压力深腔连通，所述压力深腔另一端和所述牺牲层连接，所述处理层包括背腔，所述背腔一端和所述牺牲层连接，另一端和外界大气连通，所述背腔及所述压力深腔和所述牺牲层连接的部分在水平方向的投影无重叠，所述牺牲层包括牺牲层通道，所述牺牲层通道连通所述压力深腔和所述背腔。