[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

摘要

本公开涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。根据一个实施例，半导体器件1包括：形成在彼此不同的区域中的浅P阱21、浅N阱22、浅P阱23和浅N阱24、形成在比浅P阱21和浅N阱22深的一部分中的深N阱20、以及基材34，并且还包括：形成在浅P阱21和浅N阱22的在主表面10侧上的一部分中的第一晶体管、和形成在浅P阱23和浅N阱24的在主表面10侧上的一部分中的第二晶体管，其中，按照围绕浅P阱21的区域的外围边缘的方式形成浅N阱22。

主权项

1.一种半导体器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括主表面，其中所述半导体衬底包括：第一导电类型的第一浅阱、第二导电类型的第二浅阱、所述第一导电类型的第三浅阱和所述第二导电类型的第四浅阱，所述第一浅阱、所述第二浅阱、所述第三浅阱和所述第四浅阱按照以下方式形成在所述半导体衬底的在主表面侧上的一部分中：当从所述主表面看所述半导体衬底时，它们处于彼此不同的区域中；所述第二导电类型的深阱，形成在包括所述第一浅阱和所述第二浅阱的区域中，包括所述第一浅阱和所述第二浅阱的所述区域是不同于形成有所述第三浅阱和所述第四浅阱的区域的区域，所述第二导电类型的所述深阱形成在从所述主表面的深度方向上比所述第一浅阱和所述第二浅阱深的一部分中；以及所述第一导电类型的基材，形成在包括所述第三浅阱、所述第四浅阱和所述深阱的区域中，所述第一导电类型的所述基材形成在从所述主表面的所述深度方向上比所述第三浅阱、所述第四浅阱和所述深阱深的一部分中，所述半导体器件还包括：第一晶体管对，所述第一晶体管对包括其中所述第二导电类型的扩散层形成在所述第一浅阱的在所述主表面侧上的一部分中的所述第二导电类型的场效应晶体管、和其中所述第一导电类型的扩散层形成在所述第二浅阱的在所述主表面侧上的一部分中的所述第一导电类型的场效应晶体管；第二晶体管对，所述第二晶体管对包括其中所述第二导电类型的扩散层形成在所述第三浅阱的在所述主表面侧上的一部分中的所述第二导电类型的场效应晶体管、和其中所述第一导电类型的扩散层形成在所述第四浅阱的在所述主表面侧上的一部分中的所述第一导电类型的场效应晶体管；以及晶体管对之间的接线，被配置为连接所述第一晶体管对和所述第二晶体管对，以及按照围绕所述第一浅阱的区域的外围边缘的方式形成所述第二浅阱。