[发明专利]改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法有效
申请号: | 201810676932.6 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN108828898B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;G03F7/42 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法,包括:以涂覆转速进行光刻胶涂覆;对光刻胶涂覆层进行多段式主要转速处理,包括第一转速处理和转速小于第一转速的第二转速处理,且使其保持湿润;第二转速处理包括第一阶段的对晶圆边缘的稳膜前水洗处理,采用第一清洗管嘴对涂覆有光刻胶涂覆层的晶圆边缘进行稳膜前水洗处理;及第二阶段的膜厚稳定化处理;对晶圆边缘进行稳膜后水洗处理,采用第二清洗管嘴对涂覆有光刻胶涂覆层的晶圆边缘进行稳膜后水洗处理,进行自旋干燥。通过上述方案,本发明通过对处理的工艺流程以及清洗管嘴设备的改进,可以有效去除光刻胶涂覆过程中的晶圆边缘的光刻胶,并使产品的良率增加1~2%。 | ||
搜索关键词: | 改善 光刻 胶涂覆 过程 中晶边 缺陷 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)以涂覆转速进行光刻胶涂覆,以形成具有预设厚度的光刻胶涂覆层于待处理晶圆的上表面;2)对所述光刻胶涂覆层进行多段式主要转速处理,且所述多段式主要转速处理包含第一转速处理与转速小于所述第一转速处理的第二转速处理,并使所述光刻胶涂覆层在所述主要转速处理的过程中保持湿润;在所述第二转速处理的第一阶段,对涂覆有所述光刻胶涂覆层的晶圆的背面进行稳膜前水洗处理,以湿润所述晶圆的边缘并去除所述光刻胶涂覆层在涂覆后溢流到所述晶圆边缘的部分;在所述第二转速处理的第二阶段,对所述光刻胶涂覆层进行膜厚稳定化处理,其中,采用第一清洗管嘴对涂覆有所述光刻胶涂覆层的晶圆边缘进行所述稳膜前水洗处理,所述第一清洗管嘴的管嘴口边缘与所述晶圆侧缘之间的距离介于0.1~10mm之间,所述第一清洗管嘴的喷射方向与所述晶圆表面之间的夹角介于45~60°之间,以增加所述第一清洗管嘴所喷射的清洗液与所述晶圆边缘之间的粘附力,以及降低位于所述晶圆边缘的所述清洗液的离心力;3)对所述晶圆的所述背面进行稳膜后水洗处理,以去除所述光刻胶涂覆层在膜厚稳定化处理时扩散到所述晶圆边缘的部分,其中,采用第二清洗管嘴对涂覆有所述光刻胶涂覆层的晶圆边缘进行所述稳膜后水洗处理,所述第二清洗管嘴的喷射方向与所述晶圆表面之间的夹角介于30~40°之间;及4)对所述晶圆进行自旋干燥,所述光刻胶涂覆层仅形成于所述晶圆的上表面且不具有湿润流动力。
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