[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201810678335.7 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN108878324B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 网仓学;日向寿树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/455;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括:处理容器,其用于气密地容纳晶圆;载置台,其设有多个,该载置台用于在处理容器内载置晶圆;处理气体供给部,其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体;排气机构,其用于对处理容器内进行排气;分隔壁,其配置在处理容器内,该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台;以及内壁,其为圆筒形状,该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台,在内壁上形成有狭缝,经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其用于对基板进行处理,其特征在于,该基板处理装置包括:处理容器,其用于容纳基板;载置台,其用于在所述处理容器内载置基板;处理气体供给部,其用于向所述处理容器内供给处理气体;排气机构,其用于排出所述处理容器内的处理气体;以及内壁,其包围所述载置台,其中,所述内壁具有狭缝和分隔板,所述分隔板构成为使所述处理容器内的处理气体在通过由所述分隔板限定的迂回路之后从所述狭缝排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造