[发明专利]气闸室、晶圆传送方法及半导体生产设备在审
申请号: | 201810679084.4 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN110648940A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/66 |
代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种传送晶圆的气闸室、晶圆传送方法及半导体生产设备;气闸室包括传送腔体、至少一晶圆感测区域、多个传感器及控制装置;传送腔体上设有第一腔门、第二腔门及腔盖,第一腔门及第二腔门分别位于传送腔体的两侧壁上,且与传送腔体活动连接,腔盖位于传送腔体的顶部且与传送腔体活动连接;晶圆感测区域位于传送腔体内;多个传感器位于传送腔体内且位于腔盖上,用于感测晶圆的位置是否发生偏移;控制装置与第一腔门、第二腔门及传感器相连接,用于控制第一腔门及第二腔门的开启及关闭,并于传感器感测到晶圆的位置发生偏移时控制开启的第一腔门或第二腔门维持开启状态。本发明能有效减少晶圆损伤,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 腔门 晶圆 传送腔体 传感器 腔盖 感测区域 活动连接 控制装置 传送腔 气闸室 偏移 感测 传送 半导体生产设备 体内 开启状态 生产效率 有效减少 两侧壁 损伤 | ||
【主权项】:
1.一种传送晶圆的气闸室,其特征在于,包括:/n传送腔体,所述传送腔体上设有第一腔门、第二腔门及腔盖,所述第一腔门及所述第二腔门分别位于所述传送腔体的两侧壁上,且与所述传送腔体活动连接,所述腔盖位于所述传送腔体的顶部且与所述传送腔体活动连接;/n至少一晶圆感测区域,位于所述传送腔体内,所述晶圆感测区域的形状及尺寸与晶圆的形状及尺寸相匹配;/n多个传感器,位于所述腔盖上,用于在晶圆传送至所述传送腔体内后感测所述晶圆的位置是否发生偏移,所述传感器至少包括第一门侧传感器、第二门侧传感器及辅助点传感器,所述第一门侧传感器邻靠所述第一腔门,所述第二门侧传感器邻靠所述第二腔门,所述辅助点传感器距所述第一门侧传感器及所述第二门侧传感器的距离相等且所述第一门侧传感器的感测轴、所述第二门侧传感器的感测轴及所述辅助点传感器的感测轴均与所述晶圆感测区域的边缘相交;/n控制装置,与所述第一腔门、所述第二腔门及多个所述传感器相连接,用于控制所述第一腔门及所述第二腔门的开启及关闭,并于所述传感器感测到所述晶圆的位置发生偏移时控制开启的所述第一腔门或所述第二腔门维持开启状态。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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