[发明专利]具有牺牲多晶硅层的接触蚀刻停止层有效
| 申请号： | 201810679506.8 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109300790B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄海苟;高金晟;盛海峰;刘金平;高明哈;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有牺牲多晶硅层的接触蚀刻停止层，该接触蚀刻停止层包括形成于牺牲栅极结构上面的氮化物层与形成于该氮化物层上面的多晶硅层。在后续制程期间，该多晶硅层适合氧化且形成氧化物层。该多晶硅层的氧化有效遮蔽底下的氮化物接触蚀刻停止层免受氧化，这保护该氮化物层的机械完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 牺牲 多晶 接触 蚀刻 停止 | ||
【主权项】：
1.一种制造装置的方法，其包含：形成一牺牲栅极结构于一半导体衬底上面，其中，该牺牲栅极结构包括一牺牲栅极与形成于该牺牲栅极上面的一牺牲栅极间隙；形成一侧壁间隔体层于该牺牲栅极结构的多个侧壁上面；形成一氮化物层于该侧壁间隔体层上面；形成一多晶硅层于该氮化物层的多个上部上面；以及形成一氧化物层于该多晶硅层上面，其中，该多晶硅层在该氧化物层的形成期间被氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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