[发明专利]纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法在审
| 申请号： | 201810679689.3 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108821776A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郭兴忠;王奇玄;黄凯越;高黎华;郑浦;杨辉 | 申请（专利权）人： | 浙江东新新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 317015 浙江省台州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法，包括以下步骤：1)、将石墨粉作为主原料与分散剂共同加入到占主原料质量的去离子水中，搅拌，加入粘结剂，继续搅拌，之后加入造孔剂，搅拌后倒出，得到水基纯碳料浆；2)、下将水基纯碳料浆烘干，得到纯碳粉粒，之后粉碎得到细纯碳颗粒；3)、将细纯碳颗粒放置于避光处陈腐1‑2天，干压成型，获得密封件坯体；4)、将密封件坯体和硅片按照放在真空反应烧结炉中，同时进行液相渗硅，得到含碳的碳化硅密封件。本发明由纯碳坯体利用液相渗硅的方法制备得到SiC陶瓷，降低了成本，节约了能源，且降低了制备过程的难度及复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 纯碳 密封件 坯体 碳化硅 制备 液相渗硅 料浆 干压成型 真空反应 制备过程 分散剂 烧结炉 石墨粉 造孔剂 粘结剂 主原料 硅片 烘干 避光 倒出 粉粒 水中 陈腐 离子 陶瓷 节约 能源 | ||
【主权项】：
1.纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、将石墨粉作为主原料与分散剂共同加入到占主原料质量79～81％的去离子水中，然后于800～1200r/min转速下，搅拌29～31min，加入粘结剂，继续搅拌9～11min；之后加入造孔剂，于500～700r/min转速下，搅拌19～21min后倒出，得到水基纯碳料浆；粘结剂、分散剂、造孔剂的质量分别为主原料的质量的7.9～8.1％、2.9～3.1％、5‑20％；2)、于110～130℃下将水基纯碳料浆烘干11～13h，得到纯碳粉粒，之后粉碎至过55～65目筛，得到细纯碳颗粒；3)、将细纯碳颗粒放置于避光处陈腐1‑2天，之后采用0.9～1.1MPa干压成型，保压时间5～10s，获得密封件坯体；4)、将密封件坯体和硅片按照1:1.1～1.5的质量比，放在真空反应烧结炉中，升温至1500～1560℃烧结3.5～4.5小时，同时进行液相渗硅，得到纯碳坯体的碳化硅密封件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江东新新材料科技有限公司，未经浙江东新新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810679689.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
