[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法先以所述第一图案化掩膜层为掩膜，刻蚀去除第一器件区中部分厚度的半导体衬底以形成沟槽，然后在所述沟槽中形成顶面低于第二器件区的半导体衬底顶面的第一栅氧化层，接着在第二器件区的半导体衬底表面上形成第二栅氧化层，之后又通过多晶硅层的沉积和顶面平坦化，来使得第一器件区和第二器件区的多晶硅层的顶面齐平，可以在不增加掩膜板的情况下，使得第一器件区具有较厚的多晶硅层且第二器件区具有较薄的多晶硅层，由此满足两器件区对不同多晶硅厚度的需求。本发明的方法适用于不同器件区需要不同多晶硅厚度的各种集成电路的制造。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有第一器件区和第二器件区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一图案化掩膜层，所述第一图案化掩膜层覆盖所述第二器件区上方且在所述第一器件区上方具有开口；以所述第一图案化掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述第一器件区的部分厚度的所述半导体衬底，以在所述第一器件区的半导体衬底中形成沟槽；去除所述第一图案化掩膜层，并在所述沟槽中形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层的顶面低于所述第二器件区的半导体衬底的顶面；在所述第二器件区的半导体衬底表面上形成第二栅氧化层；在所述第一栅氧化层和第二栅氧化层的表面上沉积多晶硅层并进行顶面平坦化，以使得所述第一器件区和所述第二器件区上的多晶硅层的顶面齐平。