[发明专利]一种银纳米线电磁屏蔽膜及其制备方法在审
申请号: | 201810682130.6 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN110648801A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 高彦峰 | 申请(专利权)人: | 宁波山功新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14;H05K9/00 |
代理公司: | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 315399 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种银纳米线电磁屏蔽膜及其制备方法,包括:在模具表面涂覆银纳米线溶液,干燥得到银纳米线薄膜;以及将由高分子溶液和固化剂混合得到的高分子溶液混合物涂覆到银纳米线薄膜表面,恒温条件下固化得到银纳米线@高分子基底的半嵌入式结构,与模具分离得到银纳米线电磁屏蔽膜。可以有效的防止外部环境对银纳米线导电网络的破坏,而且银纳米线网络之间连接更为紧密,具有更加优异的电导率和电磁屏蔽效率。 | ||
搜索关键词: | 银纳米线 银纳米线薄膜 电磁屏蔽膜 高分子溶液 涂覆 半嵌入式结构 电磁屏蔽效率 电导率 导电网络 高分子基 恒温条件 模具表面 模具分离 外部环境 混合物 固化剂 固化 制备 网络 | ||
【主权项】:
1.一种银纳米线电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,包括:在模具表面涂覆银纳米线溶液,干燥得到银纳米线薄膜;以及将由高分子溶液和固化剂混合得到的高分子溶液混合物涂覆到所述银纳米线薄膜表面,恒温条件下固化得到银纳米线@高分子基底的半嵌入式结构,与模具分离得到所述银纳米线电磁屏蔽膜。/n
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