[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810682176.8 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108847573B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵亮;代露;许海明;肖黎明 | 申请（专利权）人： | 湖北光安伦芯片有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面发射激光器的制作方法，包括如下步骤：S1～S4四个步骤。还包括一种垂直腔面发射激光器。本发明通过将待刻区做成倒梯形台体可以起到限制电流的作用，将待刻区做成圆柱体可以控制工艺精度，方便后续工艺制作，将待刻区做成正梯形台体可以有利于后续制作电极时的金属接触以及有效降低电阻，而且该正梯形台体结构也可以使外延应力不容易集中某一处，对激光器的电性能有积极作用。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，在衬底上依次外延生长缓冲层、N型布拉格反射镜组、有源层、氧化层、P型布拉格反射镜组、P型接触层以及掩膜；S2，对待刻区采用刻蚀装置进行刻蚀，所述待刻区由所述掩膜、所述P型接触层、所述P型布拉格反射镜组、所述氧化层以及所述有源层组成；S3，调节所述刻蚀装置的工作功率，将所述待刻区刻蚀形成倒梯形台体、圆柱体或正梯形台体；S4，采用光刻和溅射工艺在所述衬底远离所述缓冲层的一侧制作N电极，并在所述掩膜的外表面上制作P电极，以完成激光器的制作。
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