[发明专利]一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置及其使用方法在审
| 申请号： | 201810682839.6 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108931494A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 钟舜聪;黄异;范学腾;陈伟强 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G01N21/3581 | 分类号： | G01N21/3581 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;吴志龙 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置及其使用方法，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖，利用上述装置能够通过利用太赫兹波在高阻硅棱镜内部发生衰减全反射，而后在棱镜底部形成倏逝波与样品进行反应，从而实现含水、粉末状样品的太赫兹光谱检测，其结构简单、方便调试。应用基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，在分辨物体的组成成分，分析物体的物理化学性质方面具有潜在的工程应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 高阻 衰减全反射 棱镜 样品池框架 检测装置 镂空部 三棱柱形 分辨 物理化学性质 粉末状样品 太赫兹光谱 工程应用 可拆连接 太赫兹波 样品池盖 样品池腔 倒置 潜在的 上表面 倏逝波 底面 含水 调试 检测 应用 分析 | ||
【主权项】：
1.一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，其特征在于，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖。
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