[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板在审
| 申请号： | 201810684318.4 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109031820A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 唐维;卢改平 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，其中，该阵列基板的制作方法包括：步骤S1、提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括显示区和非显示区；步骤S2、在所述玻璃基板的非显示区制作静电释放器件；步骤S3、在所述静电释放器件上方制作金属层，使所述金属层与所述静电释放器件构成电容。本发明通过在阵列基板中的静电释放器件的上方增加金属层，使得金属层和静电释放器件构成电容，从而具备一定的抗静电作用的同时均衡金属层上下多晶硅层的应力；此外，通过在金属层的上方设置绝缘层通孔，减小金属层上方的氮化硅层的厚度，进一步降低非金属层叠加应力大的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 阵列基板 静电释放器件 玻璃基板 制作 非显示区 显示面板 电容 绝缘层通孔 抗静电作用 氮化硅层 多晶硅层 显示区 减小 均衡 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括显示区和非显示区；步骤S2、在所述玻璃基板的非显示区制作静电释放器件；步骤S3、在所述静电释放器件上方制作金属层，使所述金属层与所述静电释放器件构成电容。
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