[发明专利]一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法有效
| 申请号： | 201810684416.8 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660914B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郑直;张卜生;雷岩;余海丽;杨晓刚;齐瑞娟 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | H10K71/00 | 分类号： | H10K71/00;H10K30/50;C03C17/34;C03C17/22 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 原位 控制 合成 碘铋铜 三元 化合物 半导体 光电 薄膜 材料 化学 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法，其特征在于：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。/n
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