[发明专利]Sn20 有效
| 申请号： | 201810684530.0 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109037439B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;郭璇;张锐;尤海鹏;朱小芹;邹华 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 刘娟娟 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种Sn |
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| 搜索关键词： | sn base sub 20 | ||
【主权项】：
1.一种Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料，其特征在于，Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料为多层复合膜结构，由Sn20Sb80层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn20Sb80层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn20Sb80层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn20Sb80层是以Sn20Sb80靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；所述Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn20Sb80(a)/Si(b)]x表示，其中a为单层Sn20Sb80层的厚度，a＝1nm～50nm；b为单层Si层的厚度，b＝1nm～50nm，x为Sn20Sb80层和Si层的交替周期数，x为正整数。
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